【栅氧化层】的繁体字： 柵氧化層
【栅氧化层】的读音为 zhà yǎng huà céng，无声调拼音为 zha yang hua ceng，简拼为 ZYHC
【栅氧化层】的笔画分别为9画、10画、4画、7画，部首分别为木部、气部、亻部、尸部。
【分字繁体字】栅的繁体字 氧的繁体字 化的繁体字 层的繁体字
为了有效地抑制短沟道效应，并保持良好的亚阈值斜率，栅氧化层厚度要和沟道长度以同样的比例下降。对于0.1μm尺度的CMOS器件，栅氧化层厚度需达到3nm左右。对于超薄氧化层而言，最大的问题是会发生量子隧道穿通效应。栅氧化层的隧穿电流将随氧化层厚度的减少量指数增长，栅偏压1.5V时，氧化层厚度若从3.6nm降到1.5nm，栅电流密度大约会增长10个数量级。